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参数资料
| 型号： | FDS6982AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A，8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6982ASDKR |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky Body Diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode
in parallel with PowerTrench MOSFET. This diode
exhibits similar characteristics to a discrete external
Schottky diode in parallel with a MOSFET. Figure 23
shows the reverse recovery characteristic of the
FDS6982AS.
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at
high temperature and high reverse voltage. This will
increase the power in the device.
0.1
T A = 125 o C
0.01
0.001
T A = 100 o C
0.0001
0.00001
0.000001
T A = 25 o C
0
5
10 15 20
25
30
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 25. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage and
temperature
Time: 10nS/DIV
Figure 23. FDS6982AS SyncFET body
diode reverse recovery characteristic.
For comparison purposes, Figure 24 shows the reverse
recovery characteristics of the body diode of an
equivalent size MOSFET produced without SyncFET
(FDS6982).
Time: 10nS/DIV
Figure 24. Non-SyncFET (FDS6982) body
diode reverse recovery characteristic.
FDS6982AS Rev B 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6984AS | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC |
| FDS6986AS | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS6990AS | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6990A | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6994S | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6982AS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:mOSFET |
| FDS6982AS_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6982AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
| FDS6982AS_NF40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6982AS_NL | 功能描述:MOSFET N-CH 1&2 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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