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参数资料
| 型号： | FDS6982AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A，8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6982ASDKR |
Typical Characteristics: Q2
30
V GS = 10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.6
2.4
2.2
V GS = 2.5V
20
2
1.8
1.6
3.0V
10
2.5V
1.4
1.2
1
3.5V
4.0V
4.5V
6.0V
10V
0
0.8
0
0.5 1 1.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
0
10 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
30
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.4
0.05
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.2
I D = 8.6A
V GS = 10V
0.04
I D = 4.3 A
0.03
T A = 125 C
1
0.02
o
T A = 25 C
0.8
0.01
o
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.6
-50
-25
0 25 50 75
o
100
125
0
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
30
25
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
10
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
V GS = 0V
T A = 125 C
T A = 125 C
25 C
20
15
o
1
o
o
10
5
-55 o C
25 o C
0.1
-55 o C
0
1
1.5
2 2.5
3
3.5
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6982AS Rev B 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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