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参数资料
| 型号： | FDS6984AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6984ASFSDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
I DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Zero Gate Voltage Drain
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V DS = 24 V, V GS = 0 V
Q2
Q1
Q2
30
30
500
V
μ A
Current
Q1
1
V DS = 24 V, V GS = 0 V, T J = 125 ° C
Q2
Q1
2.3
79
mA
nA
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
All
± 100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 1 mA
Q2
1
1.7
3
V
V DS = V GS , I D = 250 μA
Q1
1
1.8
3
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 uA, Referenced to 25 ° C
Q2
Q1
–3
–4
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 8.5 A
V GS = 10 V, I D = 8.5 A, T J = 125 ° C
Q2
17
24
20
32
m ?
V GS = 4.5 V, I D = 7 A
21
28
V GS = 10 V, I D = 5.5 A
V GS = 10 V, I D = 5.5 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 4.6 A
Q1
26
34
32
31
43
40
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q2
30
A
Q1
20
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 8.5 A
Q2
25
S
Dynamic Characteristics
V DS = 5 V, I D = 5.5 A
Q1
18
C iss
Input Capacitance
V DS = 15 V, V GS = 0 V,
Q2
530
pF
f = 1.0 MHz
Q1
420
C oss
Output Capacitance
Q2
170
pF
Q1
120
C rss
Reverse Transfer Capacitance
Q2
60
pF
Q1
50
R G
Gate Resistance
V GS = 15mV, f = 1.0 MHz
Q2
3.1
?
Q1
2.2
FDS6984AS Rev A 1 (X)
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参数描述 |
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| FDS6984S_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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