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参数资料
| 型号： | FDS6984AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6984ASFSDKR |
Typical Characteristics Q1
10
I D = 5.5A
600
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
6
V DS = 10V
20V
500
400
C iss
4
2
0
15V
300
200
100
0
C rss
C oss
0
2
4 6
8
10
0
5 10 15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
100
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
10ms
100 μ s
1ms
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
100ms
1
DC
10s
1s
30
20
V GS = 10V
0.1
SINGLE PULSE
T A = 25 C
0.01
R θ JA = 135 o C/W
o
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.1
0.1
R θ JA = 135°C/W
0.01
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6984AS Rev A 1 (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS6984AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6984S | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6984S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6984S_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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