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参数资料
| 型号： | FDS6984AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6984ASFSDKR |
Typical Characteristics: Q2
10
I D =8.5A
800
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
V DS = 10V
20V
600
C iss
6
15V
400
4
C oss
200
2
C rss
0
0
0
2
4 6 8
10
12
0
5
10 15 20 25
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
10
10ms
1ms
40
T A = 25°C
100ms
1s
30
1
DC
10s
20
V GS = 10V
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 C/W
0.01
o
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDS6984AS Rev A 1 (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS6984S | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS6984S_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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