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参数资料
| 型号： | FDS6984AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6984ASFSDKR |
Typical Characteristics: Q2
30
2
V GS = 10V
3.5V
V GS = 3.0V
25
20
6.0V
4.5V
4.0V
1.8
1.6
15
3.0V
1.4
3.5V
4.0V
10
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
5
0
2.5V
1
0.8
10V
0
0.5
1 1.5 2
2.5
3
0
5
10 15 20
25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 8.5A
V GS = 10V
1.45
0.06
0.05
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 4.25A
1.3
0.04
1.15
1
0.03
T A = 125 o C
0.85
0.7
0.02
0.01
T A = 25 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
30
25
V DS = 5V
100
10
V GS = 0V
20
1
T A = 125 o C
T A = 125 C
-55 C
25 C
15
o
o
0.1
o
10
-55 o C
5
0
25 o C
0.01
0.001
1
1.5
2 2.5 3 3.5
4
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6984AS Rev A 1 (X)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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