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参数资料
| 型号： | FDS6986AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，7.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6986ASDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V GS = 0 V, I D = 250 uA
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
31
23
500
V
mV/ ° C
μ A
Current
Q1
1
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V GS = ± 16 V, V DS = 0 V
Q2
Q1
± 100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 1 mA
Q2
1
1.7
3
V
V DS = V GS , I D = 250 μA
Q1
1
1.9
3
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 uA, Referenced to 25 ° C
Q2
Q1
–3.2
–4.0
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 7.9 A
V GS = 10 V, I D = 7.9 A, T J = 125 ° C
Q2
17
25
20
32
m ?
V GS = 4.5 V, I D = 7 A
22
28
V GS = 10 V, I D = 6.5 A
V GS = 10 V, I D = 6.5 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 5.6 A
Q1
21
32
32
29
49
38
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q2
30
A
Q1
20
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 7.9 A
Q2
25
S
Dynamic Characteristics
V DS = 5 V, I D = 6.5 A
Q1
15
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 10 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
550
720
180
120
70
pF
pF
pF
Q1
60
R G
Gate Resistance
V GS = 15mV, f = 1.0 MHz
Q2
3.2
?
Q1
1.2
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q2
9
18
ns
Q1
10
19
t r
t d(off)
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10V, R GEN = 6 ?
Q2
Q1
Q2
6
4
25
12
8
40
ns
ns
Q1
24
39
t f
Turn-Off Fall Time
Q2
4
8
ns
Q1
3
6
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q2
11
20
ns
Q1
10
20
t r
t d(off)
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 4.5V, R GEN = 6 ?
Q2
Q1
Q2
15
9
15
26
18
26
ns
ns
Q1
13
23
t f
Turn-Off Fall Time
Q2
6
12
ns
Q1
3
6
FDS6986AS Rev A (X)
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