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参数资料
| 型号： | FDS6986AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，7.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6986ASDKR |
Electrical Characteristics
(continued)
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Switching Characteristics
(Note 2)
Q g(TOT)
Total Gate Charge, Vgs = 10V
Q2
10
14
nC
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge, Vgs = 5V
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q2:
V DS = 15 V, I D = 7.9 A
Q1:
V DS = 15 V, I D = 6.5 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
12
5.6
6.5
2.0
2.3
1.5
17
8
9
nC
nC
nC
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
Q1
2.1
I S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Q2
3.0
A
Q1
1.3
T rr
Q rr
T rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I F = 10 A,
d iF /d t = 300 A/μs
I F = 6.5 A,
d iF /d t = 100 A/μs
(Note 3)
(Note 3)
Q2
Q1
15
6
20
12
ns
nC
ns
nC
V SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V GS = 0 V, I S = 2.3 A
V GS = 0 V, I S = 1.3 A
(Note 2)
(Note 2)
Q2
Q1
0.6
0.8
0.7
1.2
V
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a)
78°C/W when
b)
125°C/W when
c)
135°C/W when
mounted on a
0.5in 2 pad of 2
oz copper
mounted on a
0.02 in 2 pad of
2 oz copper
mounted on a
minimum pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
3. See “SyncFET Schottky body diode characteristics” below.
4. FDS6986AS_NL is a lead free product. FDS6986AS_NL marking will appear on the reel label.
FDS6986AS Rev A (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6990AS | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6990A | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6994S | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8433A | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| FDS8447 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6986AS_NBBD005 | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6990 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6990A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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