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参数资料
| 型号： | FDS6986AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，7.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6986ASDKR |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky Body Diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in
parallel with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits
similar characteristics to a discrete external Schottky
diode in parallel with a MOSFET. Figure 22 shows the
reverse recovery characteristic of the FDS6986AS.
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high
temperature and high reverse voltage. This will increase
the power in the device.
0.1
0.01
125 o C
0.001
100 o C
0.0001
0.00001
0.000001
25 o C
0
5
10
15
20
25
30
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 24. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage and
temperature.
12.5nS/DIV
Figure 22. FDS6986AS SyncFET body diode
reverse recovery characteristic.
For comparison purposes, Figure 23 shows the reverse
recovery characteristics of the body diode of an
equivalent size MOSFET produced without SyncFET
(FDS6690A).
12.5nS/DIV
Figure 23. Non-SyncFET (FDS6690A) body
diode reverse recovery characteristic.
FDS6986AS Rev A (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6990AS | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6990A | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6994S | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8433A | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| FDS8447 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6986AS_NBBD005 | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6990 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6990A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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