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参数资料
| 型号： | FDS6986AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，7.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6986ASDKR |
Typical Characteristics: Q2
30
2
V GS = 10V
3.5V
V GS = 3.0V
25
6.0V
4.5V
1.75
20
3.0V
1.5
3.5V
15
4.0V
10
5
2.5V
1.25
1
4.5V
5.0V
6.0V
10V
0
0.75
0
0.5
1 1.5 2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
3
0
5
10 15 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
25
30
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 7.9A
V GS = 10V
1.4
1.2
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.065
I D = 3.95A
0.055
0.045
T A = 125 C
1
0.8
0.6
0.035
0.025
0.015
T A = 25 o C
o
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
30
25
20
15
V DS = 5V
100
10
1
0.1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o C
10
T A = 125 o C
0.01
-55 C
25 C
5
0
o
-55 o C
0.001
0.0001
o
1.5
2 2.5 3
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6986AS Rev A (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6986AS_NBBD005 | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6990 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6990A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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