- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS6986AS (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6986AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，7.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6986ASDKR |
Typical Characteristics
V DS
L
BV DSS
V GS
V GS
R GE
0V
tp
vary t P to obtain
required peak I AS
I AS
DUT
0.01 ?
+
-
V DD
I AS
t P
V DS
V DD
t AV
Figure 25. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Drain Current
Same type as
Figure 26. Unclamped Inductive
Waveforms
+
10V
50k ?
-
10 μ F
1 μ F
+
V GS
DUT
-
V DD
10V
V GS
Q GS
Q G(TOT)
Q GD
I g(REF
Charge, (nC)
Figure 27. Gate Charge Test Circuit
Figure 28. Gate Charge Waveform
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF
) t f
90%
V GS
R GEN
V GS Pulse Width ≤ 1 μ s
Duty Cycle ≤ 0.1 %
DUT
+
-
V DD
0V
V GS
0V
10%
10%
50%
Pulse Width
90%
50%
10%
Figure 29. Switching Time Test
Figure 30. Switching Time Waveforms
Circuit
FDS6986AS Rev A (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6990AS | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6990A | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6994S | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8433A | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| FDS8447 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6986AS_NBBD005 | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6990 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6990A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。