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参数资料
| 型号： | FDS8858CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A，7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 8.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8858CZDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0V
I D = -250 μ A, V GS = 0V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = -250 μ A, referenced to 25°C
V DS = 24V, V GS = 0V
V DS = -24V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
V GS = ±25V, V DS = 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
-30
22
-22
1
-1
±10
±10
V
mV/°C
μ A
μ A
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = -250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = -250 μ A, referenced to 25°C
Q1
Q2
Q1
Q2
1
-1
1.6
-2.1
-5.4
6.0
3
-3
V
mV/°C
V GS = 10V, I D = 8.6A
12.4
17.0
V GS = 4.5V, I D = 7.3A
Q1
15.2
20.0
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 10V, I D = 8.6A, T J = 125°C
V GS = -10V, I D = -7.3A
V GS = -4.5V, I D = -5.6A
Q2
17.7
17.1
26.5
24.3
20.5
34.5
m Ω
V GS = -10V, I D = -7.3A, T J = 125°C
24.0
28.8
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5V, I D = 8.6A
V DS = -5V, I D = -7.3A
Q1
Q2
27
21
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Q1
V DS = 15V, V GS = 0V, f = 1MHZ
Q2
V DS = -15V, V GS = 0V, f = 1MHZ
f = 1MHz
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
905
1675
180
290
110
260
1.3
4.4
1205
2230
240
390
165
390
pF
pF
pF
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1
V DD = 15V, I D = 8.6A,
V GS = 10V, R GEN = 6 Ω
Q2
V DD = -15V, I D = -7.3A,
V GS = -10V, R GEN = 6 Ω
Q1
V GS = 10V, V DD = 15V, I D = 8.6A
Q2
V GS = -10V, V DD = -15V, I D = -7.3A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7
9
3
10
19
33
3
16
17
33
2.7
6.1
3.4
8.5
14
18
10
20
35
53
10
29
24
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8858CZ Rev.C
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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