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参数资料
| 型号： | FDS8858CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A，7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 8.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8858CZDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
20
3.0
16
V GS = 10V
V GS = 4.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.5
V GS = 3.0V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3.5V
12
8
4
V GS = 3.0V
2.0
1.5
1.0
V GS = 3.5V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0
0
1
2
3
4
0.5
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On- Region Characteristics
1.6
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
35
I D = 8.6A
I D = 8.6A
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
1.2
V GS = 10V
30
25
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 125 o C
1.0
20
0.8
15
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On - Resistance
vs Junction Temperature
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
16
12
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DS = 5V
10
1
V GS = 0V
T J = 25 o C
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
8
4
T J = 150 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0
1
2
3
4
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8858CZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8870 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC |
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| FDS8878 | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
| FDS8880 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8870_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDS8874_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
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