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参数资料
| 型号： | FDS8858CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A，7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 8.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8858CZDKR |
Typical Characteristics(Q2 P-Channel) T J = 25 o C unless otherwise noted
10
4000
I D = -7.3A
V DD = -10V
C iss
8
V DD = -15V
6
4
2
V DD = -20V
1000
f = 1MHz
V GS = 0V
C oss
C rss
0
0
7
14
21
28
35
100
0.1
1
10
30
10
10
10
-Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 21. Gate Charge Characteristics
20
10
-3
-4
-5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 22. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V DS = 0V
10
10
T J = 125 o C
T J =
25 o C
-6
-7
T J = 125 o C
T J = 25 o C
10
1
0.01
0.1
1
10
30
-8
0
5
10
15
20
25
30
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 23. Unclamped Inductive
Switching Capability
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 24. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
8
60
6
V GS = -10V
10
1ms
4
V GS = -4.5V
1
10ms
R θ JA = 78 C/W
R θ JA = 135 C/W
2
0
25
o
50
75
100
125
150
0.1
0.01
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
100ms
1s
10s
DC
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
o
0.1
1
10
80
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 25 . Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
Figure 26. Forward Bias Safe
Operating Area
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8858CZ Rev.C
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8870 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC |
| FDS8876 | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC |
| FDS8878 | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
| FDS8880 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
| FDS8882 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8870_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8870_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8874 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 5.5 OHMS NCH SINGLE S RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8874_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
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