参数资料
型号: FDS8858CZ
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图: Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.6A,7.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫欧 @ 8.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1205pF @ 15V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: SO-8
包装: 标准包装
产品目录页面: 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDS8858CZDKR
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
300
100
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
A
10
SINGLE PULSE
I = I 25
150 – T
------------------------
125
T A = 25 o C
R θ JA = 135 C/W
1
0.5
o
10
10
10
10
10
10
10
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
0.01
0.0003
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 14. Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8858CZ Rev.C
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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