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参数资料
| 型号： | FDS8858CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A，7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 8.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8858CZDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
20
4.0
16
12
8
V GS = -10V
V GS = -5V
V GS = -4.5V
V GS = -4V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -3.5V
3.5
3.0
2.5
2.0
V GS = -3.5V
V GS = -4V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -4.5V
1.5
4
V GS = -3V
1.0
V GS = -5V
V GS = -10V
0
0
1
2
3
4
0.5
0
4
8
12
16
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. On- Region Characteristics
1.6
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 16. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
60
1.4
I D = -7.3A
V GS = -10V
50
I D = -7.3A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
40
1.0
0.8
30
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
10
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 17. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
30
Figure 18. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
PULSE DURATION = 80 μ s
10
V GS = 0V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
16
1
12
V DS = -5V
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
8
4
T J = 25 o C
T J = 125 o C
T J =-55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
0
0
1
2
3
4
5
0.0001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 20. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8858CZ Rev.C
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8870_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDS8874_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
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