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参数资料
| 型号： | FDS8928A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8928ADKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = -250 μA
N-Ch
P-Ch
30
-20
V
V
? BV DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 o C
N-Ch
P-Ch
32
-23
mV/ o C
I DSS
I GSSF
I GSSR
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate - Body Leakage, Forward
Gate - Body Leakage, Reverse
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V DS = -16 V, V GS = 0 V
V GS = 8 V, V DS = 0 V
V GS = -8 V, V DS = 0 V
N-Ch
P-Ch
All
All
1
-1
100
-100
μA
μA
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
I D = 250 μA, Referenced to 25 C
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Temp. Coefficient
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = -250 μA
o
N-Ch
P-Ch
N-Ch
0.4
-0.4
0.67
-0.6
-3
1
-1
V
V
mV/ o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 C
o
P-Ch
4
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 5.5 A
N-Ch
0.025
0.03
?
V GS = 2.5 V, I D = 4.5 A
0.031
0.038
V GS = -4.5 V, I D = -4 A
V GS = -2.5 V, I D = -3.4 A
P-Ch
0.043
0.059
0.055
0.072
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 4.5 V, V DS = 5 V
N-Ch
20
A
V GS = -4.5 V, V DS = -5 V
P-Ch
-20
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 5.5 A
V DS = -5 V, I D = -4 A
N-Ch
P-Ch
20
13
S
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
Input Capacitance
V DS = 10 V, V GS = 0 V,
N-Ch
900
pF
f = 1.0 MHz
P-Ch
1130
C oss
Input Capacitance
V DS = -10 V, V GS = 0 V,
N-Ch
P-Ch
410
480
pF
C rss
Reverse Transfer Capacitance
f = 1.0 MHz
N-Ch
110
pF
P-Ch
120
FDS8928A Rev. B
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