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参数资料
| 型号： | FDS8928A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8928ADKR |
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
30
24
V GS = 4.5V
3.0V
2.5V
2
1.6
18
2.0V
V GS = 2.0V
12
1.2
2.5 V
3.0V
3.5 V
6
1.5V
4.5V
0
0
1
2
3
4
5
0.8
0
6
12
18
24
30
1.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
0.1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
I D = 5.5 A
V GS = 4.5 V
0.075
I D = 3A
1.4
1.2
1
0.8
0.05
0.025
T A = 125°C
25°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
V DS =5V
T A = -55°C
25°C
20
V GS = 0V
16
125°C
1
T A = 125°C
12
8
4
0.1
0.01
0.001
25°C
-55°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS8928A Rev. B
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PDF描述 |
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参数描述 |
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