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参数资料
| 型号： | FDS8928A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8928ADKR |
Typical Electrical Characteristics: N-Channel (continued)
5
3000
4
3
I D = 5.5A
V DS = 5V
10V
15V
1000
500
C iss
C oss
2
200
1
80
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
5
10 15
Q g , GATE CHARGE (nC)
20
25
30
0.1
0.4 1 2 5 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1m
1 0 m
10
3
RD
S(O
N
)L
IM
IT
1 0 0
s
s
us
25
20
SINGLE PULSE
R θ JA =135 °C/W
T A = 25°C
1
1 0 0
1s
ms
15
0.3
0.1
0.03
V GS = 4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA =135 °C/W
10s
DC
10
5
0.01
T A = 25°C
0
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20 30
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
V DS , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
FDS8928A Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8935 | MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8934 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8934A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8935 | 功能描述:MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8936A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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