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参数资料
| 型号： | FDS8928A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8928ADKR |
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
30
V GS = -4.5V
-3.5V
2
-3.0V
24
- 2.5V
1.6
18
-2.0V
V GS = - 2.0V
-2.5 V
12
1.2
-3.0 V
-3.5V
6
-1.5V
-4.5V
0
0
1
2
3
4
5
0.8
0
6
12
18
24
30
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -4.0A
0.2
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -2A
1.4
V GS = -4.5V
0.15
1.2
0.1
1
0.8
0.05
T A = 125°C
25°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
0
1
2 3
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
5
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
8
6
V DS = -5V
T J = -55°C
25°C
125°C
10
3
1
0.1
V GS = 0V
T J =125°C 25°C
-55°C
4
0.01
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS8928A Rev. B
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PDF描述 |
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参数描述 |
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