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参数资料
| 型号： | FDS8949_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 955pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8949_F085DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
20
3.0
V GS = 10V
V GS = 3.5V
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 20%MAX
16
12
V GS = 4.5V
2.5
2.0
V GS = 3.0V
V GS = 3.5V
8
4
V GS = 3.0V
PULSE DURATION = 300 μ s
1.5
1.0
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0
0.0
0.5
1.0
DUTY CYCLE = 20%MAX
1.5 2.0
2.5
0.5
0
4 8 12
16
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
70
1.4
I D = 6A
V GS = 10V
60
I D = 3.5A
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 20%MAX
50
1.2
40
1.0
0.8
30
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125
150
10
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
20
PULSE DURATION = 300 μ s
100
16
12
8
4
DUTY CYCLE = 20%MAX
T J = 125 o C
V DD = 10V
T J = 25 o C
T J = -55 o C
10
1
0.1
0.01
V GS = 0V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
1E-3
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDS8949 _F085 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8949 | MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC |
| FDS8958A_F085 | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC |
| FDS8958B | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| FDS8958 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8958 | 功能描述:MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8958A | 功能描述:MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8958A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
| FDS8958A_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8958A_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET |
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