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参数资料
| 型号： | FDS8949_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 955pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8949_F085DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
10
8
V DD = 10V
3
C iss
6
V DD = 20V
V DD = 30V
C oss
10
2
4
C rss
2
f = 1MHz
10
0
0
4 8 12
Q g , GATE CHARGE(nC)
16
1
0.1
V GS = 0V
1 10 40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
7
6
5
4
V GS = 10V
1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
3
V GS = 4.5V
2
1
o
R θ JA = 81 C/W
10
10
10
10
10
10
10
0.1
-3
-2
-1
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
T A , Ambient TEMPERATURE ( o C )
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
100
10
100us
100
V GS = 10V
1
0.1
LIMITED BY
PACKAGE
OPERATION IN THIS
SINGLE PULSE
1ms
10ms
100ms
1s
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
TJ = MAX RATED
T A = 25 o C
10s
DC
1
SINGLE PULSE
0.7 -4
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100 300
10
-3
-2
-1
0
1
2
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS8949 _F085 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8949 | MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC |
| FDS8958A_F085 | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC |
| FDS8958B | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| FDS8958 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8958 | 功能描述:MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8958A | 功能描述:MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8958A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
| FDS8958A_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8958A_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET |
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