- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录428 > FDS8962C (Fairchild Semiconductor)MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8962C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 575pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8962CDKR |
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coef?cient
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = -250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
30
-30
25
-23
1
V
mV/ ° C
μ A
V DS = -24 V, V GS = 0 V
Q2
-1
I GSSF
I GSSR
Gate-Body Leakage, Forward
Gate-Body Leakage, Reverse
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
All
All
100
-100
nA
nA
On Characteristics (Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
Q1
1
1.9
3
V
V DS = V GS , I D = -250 μA
Q2
-1
-1.7
-3
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coef?cient
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = -250 μA, Referenced to 25 ° C
Q1
Q2
-4.5
4.5
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 7 A
V GS = 10 V, I D = 7 A, T J = 125 ° C
Q1
21
29
30
46
m ?
V GS = 4.5 V, I D = 6 A
26
44
V GS = -10 V, I D = -5 A
V GS = -10 V, I D = -5 A, T J = 125 ° C
V GS = -4.5 V, I D = -4 A
Q2
42
57
65
52
78
80
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q1
20
A
V GS = -10 V, V DS = -5 V
Q2
-20
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 7 A
Q1
25
S
Dynamic Characteristics
V DS = -5 V, I D =-5 A
Q2
10
C iss
Input Capacitance
Q1
Q1
575
pF
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q2
528
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q2
V DS = -15 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q1
Q2
Q1
145
132
65
pF
pF
Q2
70
R G
Gate Resistance
V GS = 15 mV, f = 1.0 MHz
Q1
2.1
?
Switching Characteristics (Note 2)
Q2
6.0
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Q1
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10V, R GEN = 6 ?
Q1
Q2
Q1
8
7
5
16
14
10
ns
ns
Q2
Q2
13
24
t d(off)
t f
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
V DD = -15 V, I D = -1 A,
V GS = -10V, R GEN = 6 ?
Q1
Q2
Q1
23
14
3
37
25
6
ns
ns
Q2
9
17
Q g
Total Gate Charge
Q1
Q1
10.7
26
nC
V DS = 15 V, I D = 7 A, V GS = 10 V
Q2
9.6
13
Q gs
Q gd
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q2
V DS = -15 V, I D = -5 A,V GS = -10 V
Q1
Q2
Q1
1.7
2.2
2.1
nC
nC
Q2
1.7
FDS8962C Rev. A 1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8978 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS8984_F085 | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC |
| FDS8984 | MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC |
| FDS9400A | MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC |
| FDS9431A_F085 | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8978_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDS8978_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8984 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。