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参数资料
| 型号： | FDS8962C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 575pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8962CDKR |
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
30
V GS = -10V
-6.0V
2
-5.0V
1.8
V GS =-4.0V
20
-4.5V
1.6
-4.5V
-4.0V
1.4
-5.0V
-6.0V
10
-3.5V
1.2
-7.0V
-8.0V
-10V
0
-3.0V
1
0.8
0
1
2
3
4
5
6
0
6
12
18
24
30
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
I D = -5A
V GS = -10V
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -2.5A
T A = 125 ° C
T A = 25 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
15
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
100
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
12
V DS = -5V
o
25 o C
10
V GS =0V
9
125 o C
1
T A = 125 o C
6
3
0.1
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS8962C Rev. A 1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8978 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8978_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8984 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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