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参数资料
| 型号： | FDT3N40TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
10
10
Figure 1. On-Region Characteristics
1
V GS
1
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
150 C
Bottom : 5.5 V
o
10
25 C
-55 C
-1
o
o
2. T C = 25 C
* Notes :
1. 250 ? s Pulse Test
o
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 ? s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
0
4
5
6
7
8
9
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
15
14
13
12
10
10
11
10
9
8
7
6
5
V GS = 10V
1
0
* Note : T J = 25 C
4
3
2
1
V GS = 20V
o
150 o C
o
25 C
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
10
0
1
2
3
4
5
6
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
350
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
300
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
250
C oss
10
V DS = 80V
V DS = 200V
200
150
C iss
8
6
V DS = 320V
100
C rss
* Note :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
50
2
0
* Note : I D = 2A
10
10
10
-1
0
1
0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
1
2 3
Q G , Total Gate Charge [nC]
4
5
?200 9 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT3N40 Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
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