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参数资料
| 型号： | FDT3N40TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 9 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT3N40 Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT434P | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 |
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| FDT457N | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 |
| FDT458P | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 |
| FDT86102LZ | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FD-T40 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORM3 DIF. 2M FREE-CUT 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER |
| FDT434 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDT434P | 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT434P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
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