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参数资料
| 型号： | FQB25N33TM_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 330V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2010pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
100
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
100
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.5 V
7.0 V
150 C
25 C
-55 C
10
1
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
10
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0.1
2
4
* Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
150 C
0.45
0.40
0.35
0.30
V GS = 10V
100
10
1
o
25 C
0.25
0.1
o
0.20
V GS = 15V
0.01
* Note : T J = 25 C
0.15
o
1E-3
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.10
0
10
20
30
40
50
60
1E-4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
4000
3000
2000
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
6
V DS = 66V
V DS = 165V
V DS = 264V
4
C oss
1000
C rss
* Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 25A
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
0
10
20
30 40 50
Q G , Total Gate Charge [nC]
60
70
FQ B25N33 TM_F085 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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