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参数资料
| 型号： | FQB25N33TM_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 330V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2010pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 12.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
30
100
100 μ s
25
20
1ms
10
Operation in This Area
DC
10ms
15
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
is Limited by R DS(on)
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
5
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-SourceVoltage[V]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
D = 0 .5
0 .2
o
0 .1
0 .1
0 .0 5
0 .0 1
0 .0 2
0 .0 1
s in g le
p u ls e
* N o te s :
P DM
t 1
t 2
1 . Z θ JC (t) =
0 .5
0
C /W
M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T
J M
- T
C
=
P
D M
* Z
θ J C
(t)
1 E -3
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
FQ B25N33 TM_F085 Rev. A
t 1 , S q u a re
W a v e
P u ls e
4
D u r a t io n
[s e c ]
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB27N25TM_AM002 | MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK |
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| FQB33N10LTM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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