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参数资料
| 型号： | FQB25N33TM_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 330V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2010pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
FQ B25N33 TM_F085 Rev. A
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB27N25TM_AM002 | MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK |
| FQB30N06LTM | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK |
| FQB33N10LTM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| FQB33N10TM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| FQB34N20LTM | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB26N03L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB |
| FQB26N03LTM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB27N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQB27N25TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB27N25TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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