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参数资料
| 型号： | GS8342TT06BGD-500T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 7/30页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | GS8342TT06BGD-500T |
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Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
15/30
2011, GSI Technology
Preliminary
GS8342TT06/11/20/38BD-550/500/450/400/350
AC Test Load Diagram
Capacitance
(TA = 25oC, f = 1 MHZ, VDD = 1.8 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
45
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
67
pF
Clock Capacitance
CCLK
VIN = 0 V
56
pF
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
1.25 V
Input low level
0.25 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
0.75 V
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
20% tKHKH
VSS – 1.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKHKH
VDD + 1.0 V
50%
VDD
VIL
Note:
Input Undershoot/Overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
DQ
VT = VDDQ/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
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