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参数资料
| 型号： | HGT1S20N60C3S9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 800 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.8V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 45A |
| 功率 - 最大： | 164W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified (Continued)
10 0
10 -1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10 -2
0.01
SINGLE PULSE
t 1
10 -3 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z θ JC X R θ JC ) + T C
10 -1
P D
10 0
t 2
10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
RHRP3060
90%
R G = 10 ?
L = 1mH
V GE
V CE
90%
E OFF
10%
E ON2
+
-
V DD = 480V
I CE
10%
t d(OFF)I
t fI
t rI
t d(ON)I
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 18. SWITCHING TEST WAVEFORMS
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGT1S7N60C3DS | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB |
| HGTD1N120BNS9A | IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA |
| HGTD7N60C3S9A | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA |
| HGTG10N120BND | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 |
| HGTG11N120CND | IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGT1S2N120BNDS | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGT1S2N120BNDS9A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 5.6A I(C) | TO-263AB |
| HGT1S2N120BNS | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| HGT1S2N120BNS9A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB |
| HGT1S2N120CN | 功能描述:IGBT 晶体管 2.6A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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