参数资料
| 型号： | HIP2100EVAL2 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD 48VDC-5UDC CONVERTER |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） |
| 已用 IC / 零件： | HIP2100 |
| 已供物品： | 板 |
HIP2100
Pinouts
HIP2100
(8 LD SOIC, EPSOIC)
TOP VIEW
HIP2100IR4
(12 LD DFN)
TOP VIEW
HIP2100
(16 LD QFN)
TOP VIEW
V DD
HB
HO
HS
1
2
3
4
EPAD
8
7
6
5
LO
V SS
LI
HI
V DD
NC
NC
HB
1
2
3
4
EPAD
12 LO
11 V SS
10 NC
9 NC
NC 1
HB 2
16
15 14
EPAD
13
12 NC
11 V SS
NOTE: EPAD = Exposed PAD.
HO
5
8
LI
HO 3
10 LI
HS
6
7
HI
NC 4
9
NC
5
6
7
8
Application Block Diagram
+12V
V DD
HB
+100V
SECONDARY
CIRCUIT
PWM
HI
DRIVE
HI
HO
HS
CONTROLLER
LI
DRIVE
LO
LO
2
HIP2100
V SS
REFERENCE
AND
ISOLATION
FN4022.14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HIP2100EVAL | EVAL BOARD MINI HALF BRIDGE |
| HIP4080AEVAL | EVALUATION BOARD HIP4080/4081 |
| HIP4082EVAL | EVAL BOARD FET DRIVER HIP4082 |
| HIP4086EVAL | EVALUATION BOARD GP HIP4086 |
| HIP6004EVAL1 | EVALUATION BOARD HIP6004 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2100IB | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IBT | 功能描述:功率驱动器IC TAPE AND REEL RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IBTS2075 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HIP2100IBZ | 功能描述:功率驱动器IC HIP2100IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IBZT | 功能描述:功率驱动器IC VER 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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