参数资料
| 型号： | HIP2100EVAL2 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD 48VDC-5UDC CONVERTER |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） |
| 已用 IC / 零件： | HIP2100 |
| 已供物品： | 板 |
HIP2100
Typical Performance Curves
500
V HB = V DD = 9V
(Continued)
500
V HB = V DD = 9V
400
V HB = V DD = 12V
400
V HB = V DD = 12V
300
200
V HB = V DD = 14V
300
200
V HB = V DD = 14V
100
-50
0
50
100
150
100
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7. HIGH LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE
7.6
7.4
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8. LOW LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE
0.54
0.50
V DDR
0.46
V DDH
7.2
0.42
7.0
6.8
V HBR
0.38
0.34
V HBH
6.6
-50
0
50
100
150
0.30
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9. UNDERVOLTAGE LOCKOUT THRESHOLD vs
TEMPERATURE
30
t HPHL
t HPLH
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 10. UNDERVOLTAGE LOCKOUT HYSTERESIS vs
TEMPERATURE
2.5
2.0
25
t LPHL
t LPLH
1.5
1.0
20
0.5
15
-50
0
50
100
150
0
0
2
4
6
8
10
12
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 11. PROPAGATION DELAYS vs TEMPERATURE
7
V HO , V LO (V)
FIGURE 12. PEAK PULLUP CURRENT vs OUTPUT VOLTAGE
FN4022.14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HIP2100EVAL | EVAL BOARD MINI HALF BRIDGE |
| HIP4080AEVAL | EVALUATION BOARD HIP4080/4081 |
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| HIP4086EVAL | EVALUATION BOARD GP HIP4086 |
| HIP6004EVAL1 | EVALUATION BOARD HIP6004 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2100IB | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IBT | 功能描述:功率驱动器IC TAPE AND REEL RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IBTS2075 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HIP2100IBZ | 功能描述:功率驱动器IC HIP2100IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IBZT | 功能描述:功率驱动器IC VER 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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