参数资料
型号: IDT7026L20G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 11/18页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K(16K x 16)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 84-BPGA
供应商设备封装: 84-PGA(27.94x27.94)
包装: 托盘
其它名称: 7026L20G
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side (1)
t SAA
t OH
A 0 -A 2
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
SEM
t AW
t EW
t WR
t SOP
t ACE
t DW
I/O 0
DATA IN
VALID
DATA OUT
VALID (2)
R/ W
OE
t AS
t WP
Write Cycle
t DH
t SWRD
Read Cycle
t AOE
2939 drw 10
NOTES:
1. CE = V IH or UB and LB = V IH for the duration of the above timing (both write and read cycle).
2. "DATA OUT VALID" represents all I/O's (I/O 0 -I/O 15 ) equal to the semaphore value.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention (1,3,4)
A 0"A" -A 2"A"
MATCH
(2)
SIDE
(2)
SIDE
"A"
"B"
R/ W "A"
SEM "A"
A 0"B" -A 2"B"
R/ W "B"
SEM "B"
t SPS
MATCH
,
2939 drw 11
NOTES:
1. D OR = D OL = V IL , CE R = CE L = V IH , or both UB & LB = V IH .
2. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
3. This parameter is measured from R/ W "A" or SEM "A" going HIGH to R/ W "B" or SEM "B" going HIGH.
4. If t SPS is not satisfied, there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
11
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT7027L25G IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA
IDT7028L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT7034L20PFI IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP
IDT7035L20PFI IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP
IDT7037L20PFI IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7026L20J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20JI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20JI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L25G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)