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参数资料
型号： IDT7026L20G
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 6/18页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA
标准包装： 3
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 256K（16K x 16）
速度： 20ns
接口： 并联
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 84-BPGA
供应商设备封装： 84-PGA（27.94x27.94）
包装： 托盘
其它名称： 7026L20G
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (con't.) (V CC = 5.0V ± 10%)
7026X15
Com'l Only
7026X20
Com'l, Ind
& Military.
7026X25
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
S
L
S
190
190
___
325
285
___
180
180
180
315
275
355
170
170
170
305
265
345
mA
IND
L
___
___
180
315
170
305
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
S
L
S
35
35
___
95
70
___
30
30
30
85
60
100
25
25
25
85
60
100
mA
IND
L
___
___
30
80
25
80
I SB2
I SB3
Standby Current
(One Port - TTL Level Inputs)
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
COM'L
MIL &
IND
COM'L
MIL &
S
L
S
L
S
L
S
125
125
___
___
1.0
0.2
___
220
190
___
___
15
5
___
115
115
115
115
1.0
0.2
1.0
210
180
245
210
15
5
30
105
105
105
105
1.0
0.2
1.0
200
170
230
200
15
5
30
mA
mA
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
IND
L
___
___
0.2
10
0.2
10
I SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS Level
Inputs)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
COM'L
S
L
120
120
195
170
110
110
185
160
100
100
170
145
mA
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
MIL &
IND
S
L
___
___
___
___
110
110
210
185
100
100
200
175
2939 tbl 10
7026X35
Com'l, Ind
& Military
7026X55
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
S
L
S
160
160
160
295
255
335
150
150
150
270
230
310
mA
IND
L
160
295
150
270
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
S
L
S
20
20
20
85
60
100
13
13
13
85
60
100
mA
IND
L
20
80
13
80
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
MIL &
S
L
S
95
95
95
185
155
215
85
85
85
165
135
195
mA
IND
L
95
185
85
165
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports - All CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
COM'L
MIL &
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
15
5
30
10
160
135
1.0
0.2
1.0
0.2
80
80
15
5
30
10
135
110
mA
mA
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f=f MAX (3)
MIL &
IND
S
L
90
90
190
165
80
80
175
150
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V CC = 5V, T A = +25°C, and are not production tested. I CCDC = 120mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using
“AC Test Conditions” of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
6.42
2939 tbl 11
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参数描述
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IDT7026L20J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20JI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20JI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L25G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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