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参数资料
| 型号： | IDT7026L20G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7026L20G |
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5,6)
7026X15
Com'l Only
7026X20
Com'l, Ind
7026X25
Com'l, Ind
Symbol
Parameter
& Military
& Military
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time (3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
12
0
12
0
10
____
____
____
____
____
15
0
15
0
15
____
____
____
____
____
20
0
20
0
15
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t WZ
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t OW
t SWRD
t SPS
Output Active from End-of-Write
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
(1,2,4)
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
3199 tbl 13a
7026X35
Com'l, Ind
7026X55
Com'l, Ind
Symbol
Parameter
& Military
& Military
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
t EW
t AW
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write (3)
Address Valid to End-of-Write
35
30
30
____
____
____
55
45
45
____
____
____
ns
ns
ns
t AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
ns
t WP
t WR
t DW
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
25
0
15
____
____
____
40
0
30
____
____
____
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t WZ
(1,2)
____
15
____
25
ns
t OW
t SWRD
t SPS
Output Active from End-of-Write
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
(1,2,4)
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
NOTES:
2939 tbl 13b
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage
and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
9
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