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参数资料
| 型号： | IDT7026L20G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7026L20G |
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3) (con't.)
11/16/01
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
63
61
60
58
55
54
51
48
46
45
42
11
10
I/O 7L
66
I/O 10L
I/O 5L
64
I/O 8L
I/O 4L
62
I/O 6L
I/O 2L
59
I/O 3L
I/O 0L
56
I/O 1L
OE L
49
UB L
SEM L
50
CE L
LB L
47
A 13L
A 12L
44
A 10L
A 11L
43
A 9L
A 8L
40
A 6L
67
65
57
53
52
41
39
09
I/O 11L
I/O 9L
GND
V CC
R/ W L
A 7L
A 5L
69
68
38
37
08
I/O 13L
I/O 12L
A 4L
A 3L
72
71
73
33
35
34
07
I/O 15L
I/O 14L
V CC
BUSY L
A 1L
A 0L
06
05
75
I/O 0R
76
I/O 1R
70
GND
77
I/O 2R
74
GND
78
V CC
IDT7026G
G84-3 (4)
84-Pin PGA
Top View (5)
32
GND
28
A 1R
31
M/ S
29
A 0R
36
A 2L
30
BUSY R
79
80
26
27
04
I/O 3R
I/O 4R
A 3R
A 2R
81
83
7
11
12
23
25
03
I/O 5R
I/O 7R
GND
GND
SEM R
A 6R
A 4R
82
1
2
5
8
10
14
17
20
22
24
02
01
I/O 6R
84
I/O 8R
A
I/O 9R
3
I/O 11R
B
I/O 10R
4
I/O 12R
C
I/O 13R
6
I/O 14R
D
I/O 15R
9
OE R
E
R/ W R
15
LB R
F
UB R
13
CE R
G
A 12R
16
A 13R
H
A 9R
18
A 11R
J
A 7R
19
A 10R
K
A 5R
21
A 8R
L
Index
NOTES:
1. All V CC pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
3. Package body is approximately 1.12 in x 1.12 in x .16 in.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
2939 drw 03
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
Pin Names
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
-55 C to+125 C
0 C to +70 C
-40 C to +85 C
CE L
R/ W L
OE L
Left Port
Right Port
CE R
R/ W R
OE R
Names
Chip Enable
Read/Write Enable
Output Enable
Military
Commercial
Industrial
NOTES:
O O
O O
O O
0V
0V
0V
5.0V + 10%
5.0V + 10%
5.0V + 10%
2939 tbl 02
A 0L - A 13L
I/O 0L - I/O 15L
SEM L
A 0R - A 13R
I/O 0R - I/O 15R
SEM R
Address
Data Input/Output
Semaphore Enable
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
Capacitance (1) (T A = +25°C, f = 1.0mhz)
UB L
LB L
BUSY L
UB R
LB R
BUSY R
Upper Byte Select
Lower Byte Select
Busy Flag
Symbol
C IN
C OUT
Parameter
Input Capacitance
Output
Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
9
10
Unit
pF
pF
M/ S
Master or Slave Select
NOTES:
2939 tbl 03
V CC
GND
Power
Ground
2939 tbl 01
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3
6.42
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PDF描述 |
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| IDT7026L20J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026L20JI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026L20JI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026L25G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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