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参数资料
| 型号： | IDT70T3339S200BCG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3339S200BCG |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels (Address & Controls)
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3 . 0V/GND to 2.4V
GND to 3.0V/GND to 2.4V
2ns
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figures 1 and 2
5652 tbl 10
DATA OUT
50 ?
50 ?
1.5V/1.25
,
10pF
? tCD
(Typical, ns)
(Tester)
Figure 1. AC Output Test load.
? Capacitance (pF) from AC Test Load
10
6.42
5652 drw 03
5652 drw 04
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70T3399S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BCI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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