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参数资料
| 型号： | IDT70T3339S200BCG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3339S200BCG |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
( FT /PIPE 'X' = V IH ) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
t SC
t HC
(3)
CE 1
t SB
t HB
t SB
t HB
UB , LB
R/ W
t SW t HW
(5)
t SA
t HA
ADDRESS
(4)
An
An + 1
An + 2
An + 3
(1 Latency)
t CD2
t DC
DATA OUT
OE
(1)
t CKLZ
(1)
Qn
Qn + 1
t OHZ
t OLZ
t OE
Qn + 2
(5)
,
5652 drw 05
Timing Waveform of Read Cycle for Flow-through Output
( FT /PIPE "X" = V IL ) (2,6)
t CYC1
CLK
CE 0
t CH1
t CL1
t SC
t HC
t SC
t HC
CE 1
t SB
t HB
(3)
UB , LB
R/ W
t SW t HW
t SA
t HA
t SB
t HB
ADDRESS
(4)
An
An + 1
An + 2
An + 3
t CD1
t DC
t CKHZ
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (5)
t CKLZ
t OHZ
t OLZ
t DC
NOTES:
OE
(1)
t OE
5652 drw 06
,
1. OE is asynchronously controlled; all other inputs depicted in the above waveforms are synchronous to the rising clock edge.
2. ADS = V IL , CNTEN and REPEAT = V IH .
3. The output is disabled (High-Impedance state) by CE 0 = V IH , CE 1 = V IL , UB , LB = V IH following the next rising edge of the clock. Refer to
Truth Table 1.
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
5. If UB , LB was HIGH, then the appropriate Byte of DATA OUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
6. "x" denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
12
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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