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参数资料
| 型号： | IDT70T3339S200BCG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 27/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3339S200BCG |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Datasheet Document History:
Industrial and Commercial Temperature Ranges
01/20/03:
04/25/03:
11/11/03:
04/08/04:
02/07/06:
07/28/08:
01/19/09:
04/20/10:
Initial Datasheet
Page 11 Added Capacitance Derating drawing
Page 12 Changed t INS and t INR specs in AC Electrical Characteristics table
Page 10 Updated power numbers in DC Electrical Characteristics table
Page 12 Added t OFS symbol and parameter to AC Electrical Characteristics table
Page 21 Updated Collision Timing waveform
Page 22 Added Collision Detection Timing table and footnotes
Page 26 Updated HIGHZ function in System Interface Parameters table
Page 27 Added IDT Clock Solution table
Page 22 & 23 Clarified Sleep Mode Text and Waveforms
Page 1 & 28 Removed Preliminary status
Page 6 Added another sentence to footnote 4 to recommend that boundary scan not be operated during sleep mode
Page 1 Added green availability to features
Page 7 Changed footnote 2 for Truth Table I from ADS , CNTEN , REPEAT = V IH to ADS , CNTEN , REPEAT = X
Page 27 Added green indicator to ordering information
Page 10 Corrected a typo in the DC Chars table footnotes
Page 28 Removed "IDT" from orderable part number
Removed the DD 144-pin TQFP (DD-144) Thin Quad Flatpack per PDN: F-08-01
CORPORATE HEADQUARTERS
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for Tech Support:
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DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
27
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70T3399S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BCI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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