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参数资料
| 型号： | IDT70T3339S200BCG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3339S200BCG |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t SA t H A
t CL2
ADDRESS
ADS
CNTEN
An
t SA D t HAD
t CD2
t SAD t HAD
t SCN t HCN
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Qn + 3
,
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5652 drw 15
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance (1)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
An
t SAD t HAD
t SAD t HAD
t SCN t HCN
CNTEN
t CD1
DATA OUT
Qx (2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3 (2)
Qn + 4
,
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5652 drw 16
NOTES:
1. CE 0 , OE , UB , LB = V IL ; CE 1 , R/ W , and REPEAT = V IH .
2. If there is no address change via ADS = V IL (loading a new address) or CNTEN = V IL (advancing the address), i.e. ADS = V IH and CNTEN = V IH , then
the data output remains constant for subsequent clocks.
17
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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