收藏本站
参数资料
型号： IDT70T3339S200BCG
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 3/27页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 9M（512K x 18）
速度： 200MHz
接口： 并联
电源电压： 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 256-LBGA
供应商设备封装： 256-CABGA（17x17）
包装： 托盘
其它名称： 70T3339S200BCG
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Pin Configuration (3,4,5,6,9)
70T3339/19/99BC
BC-256 (8)
256-Pin BGA
Industrial and Commercial Temperature Ranges
01/13/03
Top View (9)
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
NC
TDI
NC
A 17L (2) A 14L
A 11L
A 8L
NC
CE 1L
OE L CNTEN L A 5L
A 2L
A 0L
NC
NC
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
INT L
NC
TDO A 18L (1) A 15L
A 12L
A 9L
UB L
CE 0L R/ W L REPEAT L
A 4L
A 1L
V DD
NC
NC
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
COL L I/O 9L
V SS
A 16L
A 13L
A 10L
A 7L
NC
LB L
CLK L ADS L
A 6L
A 3L
OPT L
NC
I/O 8L
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
NC
I/O 9R
NC
PIPE/ FT L V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DD
NC
NC
I/O 8R
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E7
E8
E9
E10
E11
E12
E13
E14
E15
E16
I/O 10R I/O 10L
NC
V DDQL V DD
V DD
NC
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD V DDQR
NC
I/O 7L I/O 7R
F1
F2
F3
F4
F5
F6
F7
F8
F9
F10
F11
F12
F13
F14
F15
F16
I/O 11L
NC
I/O 11R V DDQL V DD
NC
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD V DDQR I/O 6R
NC
I/O 6L
G1
G2
G3
G4
G5
G6
G7
G8
G9
G10
G11
G12
G13
G14
G15
G16
NC
NC
I/O 12L V DDQR
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQL I/O 5L
NC
NC
H1
H2
H3
H4
H5
H6
H7
H8
H9
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
NC
I/O 12R
NC V DDQR V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQL
NC
NC
I/O 5R
J1
J2
J3
J4
J5
J6
J7
J8
J9
J10
J11
J12
J13
J14
J15
J16
I/O 13L I/O 14R I/O 13R V DDQL ZZ R
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ZZ L V DDQR I/O 4R I/O 3R I/O 4L
K1
K2
K3
K4
K5
K6
K7
K8
K9
K10
K11
K12
K13
K14
K15
K16
NC
NC
I/O 14L V DDQL V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQR NC
NC
I/O 3L
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L10
L11
L12
L13
L14
L15
L16
I/O 15L
NC
I/O 15R V DDQR V DD
NC
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DDQL I/O 2L
NC
I/O 2R
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
M9
M10
M11
M12
M13
M14
M15
M16
I/O 16R I/O 16L
NC V DDQR
V DD
V DD
NC
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD
V DDQL I/O 1R
I/O 1L
NC
N1
N2
N3
N4
N5
N6
N7
N8
N9
N10
N11
N12
N13
N14
N15
N16
NC
I/O 17R
NC PIPE/ FT R V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL
V DD
NC
I/O 0R
NC
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
COL R I/O 17L TMS
A 16R
A 13R
A 10R
A 7R
NC
LB R
CLK R ADS R
A 6R
A 3R
NC
NC
I/O 0L
R1
INT R
R2
NC
R3 R4 R5
TRST A 18R (1) A 15R
R6
A 12R
R7
A 9R
R8
UB R
R9 R10 R11 R12
CE 0R R/ W R REPEAT R A 4R
R13
A 1R
R14
OPT R
R15
NC
R16
NC
,
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
NC
TCK
NC
A 17R (2) A 14R
A 11R
A 8R
NC
CE 1R
OE R CNTEN R A 5R
A 2R
A 0R
NC
NC
5652 drw 02d
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70T3319 and IDT70T3399.
2. Pin is a NC for IDT70T3399.
3. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground supply.
6. Package body is approximately 17mm x 17mm x 1.4mm, with 1.0mm ball-pitch.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
9. Pins A15 and T15 will be V REFL and V REFR respectively for future HSTL device.
3
6.42
,
相关PDF资料
PDF描述
IDT70T3509MS133BP IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA
IDT70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
IDT70T3539MS166BCG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA
IDT70T3719MS166BBG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA
IDT70T633S10BCI IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T3399S133BC 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BCI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*