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参数资料
型号： IDT70T3339S200BCG
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 9/27页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 9M（512K x 18）
速度： 200MHz
接口： 并联
电源电压： 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 256-LBGA
供应商设备封装： 256-CABGA（17x17）
包装： 托盘
其它名称： 70T3339S200BCG
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 2.5V ± 100mV)
70T3339/19/99
S200
Com'l Only (8)
70T3339/19/99
S166
Com'l
& Ind (7)
70T3339/19/99
S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
375
525
320
450
260
370
Current (Both
Outputs Disabled,
mA
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
___
___
320
510
260
450
I SB1 (6)
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
205
270
175
230
140
190
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
175
275
140
235
I SB2 (6)
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
COM'L
S
300
375
250
325
200
250
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
mA
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
___
___
250
365
200
310
I SB3
Full Standby Current
Both Ports CE L and
COM'L
S
5
15
5
15
5
15
(Both Ports - CMOS
CE R > V DDQ - 0.2V, V IN > V DDQ - 0.2V
mA
Level Inputs)
or V IN < 0.2V, f = 0 (2)
IND
S
___
___
5
20
5
20
I SB4 (6)
Full Standby Current
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
COM'L
S
300
375
250
325
200
250
(One Port - CMOS
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V
mA
Level Inputs)
Active Port, Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
___
___
250
365
200
310
Izz
Sleep Mode Current
ZZ L = ZZ R = V IH
COM'L
S
5
15
5
15
5
15
(Both Ports - TTL
f=f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
5
20
5
20
NOTES:
5652 tbl 09
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 2.5V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 15mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I SB1 , I SB2 and I SB4 will all reach full standby levels (I SB3 ) on the appropriate port(s) if ZZ L and/or ZZ R = V IH .
7. 166MHz I-Temp is not available in the BF-208 package.
8. 200Mhz is not available in the BF-208 package.
9
6.42
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