参数资料
型号: IDT70T3509MS133BP
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 17/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 36M(1M x 36)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-BGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 托盘
其它名称: 70T3509MS133BP
IDT70T3509M
High-Speed 2.5V
1024K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Commercial Temperature Range
Waveform of Interrupt Timing (2)
CLK L
R/ W L
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS L (3)
FFFFF
t SC
t HC
CE L (1)
t INS
INT R
CLK R
CE R (1)
R/ W R
t SC
t SW
t SA
t HC
t HW
t HA
t INR
ADDRESS
R (3)
FFFFF
5682 drw 19
NOTES:
1. CE 0 = V IL and CE 1 = V IH .
2. All timing is the same for Left and Right ports.
3. Address is for internal register, not the external bus, i.e. address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
Truth Table III - Interrupt Flag (1)
Left Port
Right Port
R/ W R
CLK L
R/ W L
L
X
X
H
(2)
CE L
L
X
X
L
(2)
A 19L -A 0L
FFFFF
X
X
FFFFE
INT L
X
X
L
H
CLK R
X
H
L
X
(2)
CE R (2)
X
L
L
X
A 19R -A 0R
X
FFFFF
FFFFE
X
INT R
L
H
X
X
Function
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
5682 tbl 12
NOTES:
1. INT L and INT R must be initialized at power-up by Resetting the flags.
2. CE 0 = V IL and CE 1 = V IH , R/ W and CE are synchronous with respect to the clock and need valid set-up and hold times.
3. Address is for internal register, not the external bus, i.e. address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
17
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
IDT70T3539MS166BCG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA
IDT70T3719MS166BBG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA
IDT70T633S10BCI IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
IDT70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T3509MS133BPG 功能描述:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3509MS133BPGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256CABGA
IDT70T3509MS133BPI 功能描述:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)
IDT70T3519S133BC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3519S133BC8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)