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参数资料
| 型号： | IDT70T3509MS133BP |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36M（1M x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3509MS133BP |
IDT70T3509M
High-Speed 2.5V
1024K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Commercial Temperature Range
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 2.5V ± 100mV)
70T3509MS133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
800
1120
Current (Both
Outputs Disabled,
mA
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
800
1370
I SB1 (6)
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
560
760
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
560
940
I SB2 (6)
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
COM'L
S
680
880
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
mA
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
680
1090
I SB3
Full Standby Current
Both Ports CE 0L = CE 0R > V DDQ - 0.2V and
COM'L
S
20
60
(Both Ports - CMOS
CE 1L = CE 1R < 0.2V,
mA
Level Inputs)
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V, f = 0 (2)
IND
S
20
80
I SB4 (6)
Full Standby Current
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
COM'L
S
680
880
(One Port - CMOS
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V
mA
Level Inputs)
Active Port, Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
680
1090
Izz
Sleep Mode Current
(Both Ports - TTL
ZZ L = ZZ R = V IH
f=f MAX (1)
COM'L
S
20
60
mA
Level Inputs)
IND
S
20
80
5682 tbl 09
NOTES:
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 2.5V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 30mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH (enabled)
CE X = V IH means CE 0X = V IH and CE 1X = V IL (disabled)
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V (enabled - CMOS levels)
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V and CE 1X < 0.2V (disabled - CMOS levels)
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I SB1 , I SB2 and I SB4 will all reach full standby levels ( I SB3) on the appropriate port(s) if ZZ L and/or ZZ R = V IH .
8
6.42
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