- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70T3719MS166BBG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3719MS166BBG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 19/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（256K x 72） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 324-BGA |
| 供应商设备封装： | 324-PBGA（19x19） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3719MS166BBG |
IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of Collision Timing (1,2)
Both Ports Writing with Left Port Clock Leading
CLK L
t OFS
t SA
t HA
(4)
ADDRESS L
A 0
A 1
A 2
A 3
COL L
CLK R
t OFS
t COLS
(3)
t COLR
t SA
t HA
ADDRESS R
(4)
A 0
A 1
A 2
A 3
t COLS
t COLR
COL R
5687 drw 20
NOTES:
1. CE 0 = V IL , CE 1 = V IH .
2. For reading port, OE is a Don't care on the Collision Detection Logic. Please refer to Truth Table IV for specific cases.
3. Leading Port Output flag might output 3t CYC2 + t COLS after Address match.
4. Address is for internal register, not the external bus, i.e., address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
Collision Detection Timing (3,4)
Cycle Time
Region 1 (ns)
(1)
t OFS (ns)
Region 2 (ns)
(2)
NOTES:
1. Region 1
5ns
6ns
7.5ns
0 - 2.8
0 - 3.8
0 - 5.3
2.81 - 4.6
3.81 - 5.6
5.31 - 7.1
Both ports show collision after 2nd cycle for Addresses 0, 2, 4 etc.
2. Region 2
Leading port shows collision after 3rd cycle for addresses 0, 3, 6, etc.
while trailing port shows collision after 2nd cycle for addresses 0, 2, 4 etc.
3. All the production units are tested to midpoint of each region.
4. These ranges are based on characterization of a typical device.
56876 tbl 14
Truth Table IV — Collision Detection Flag
Left Port
Right Port
R/ W R
CLK L
R/ W L
CE L
A 17L -A 0L
(2)
COL L
CLK R
(1)
CE R (1)
A 17R -A 0R (2)
COL R
Function
Both ports reading. Not a valid collision.
H
L
MATCH
H
H
L
MATCH
H
No flag output on either port
Left port reading, Right port writing.
H
L
MATCH
L
L
L
MATCH
H
Valid collision, flag output on Left port.
Right port reading, Left port writing.
L
L
MATCH
H
H
L
MATCH
L
Valid collision, flag output on Right port.
Both ports writing. Valid collision. Flag
L
L
MATCH
L
L
L
MATCH
L
output on both ports.
NOTES:
1. CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . R/ W and CE are synchronous with respect to the clock and need valid set-up and hold times.
2. Address is for internal register, not the external bus, i.e., address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
19
6.42
5687 tbl 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T633S10BCI | IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA |
| IDT70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP |
| IDT70T653MS12BCI | IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70V05L55G | IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA |
| IDT70V06L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3799MS133BBG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3799MS133BBGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3799MS166BBG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。