- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70T3719MS166BBG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3719MS166BBG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（256K x 72） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 324-BGA |
| 供应商设备封装： | 324-PBGA（19x19） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3719MS166BBG |
IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Ambient
(1)
0 C to +70 C
Grade
Commercial
Industrial
NOTES:
Temperature
O O
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
V DD
2.5V + 100mV
2.5V + 100mV
5687 tbl 05
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 2.5V
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage (3)
Ground
Min.
2.4
2.4
0
Typ.
2.5
2.5
0
Max.
2.6
2.6
0
Unit
V
V
V
Input High Volltage
V IH
(Address, Control &
1.7
____
V DDQ + 100mV (2)
V
Data I/O Inputs) (3)
V IH
Input High Voltage
JTAG
_
1.7
____
V DD + 100mV (2)
V
V IH
V IL
V IL
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
Input Low Voltage
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
-0.3 (1)
-0.3 (1)
____
____
____
V DD + 100mV (2)
0.7
0.2
V
V
V
NOTES:
5687 tbl 06a
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 2.5V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT
pin for that port must be set to V ss (0V), and V DDQX for that port must be supplied as indicated
above.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 3.3V
Symbol
V DD
Parameter
Core Supply Voltage
Min.
2.4
Typ.
2.5
Max.
2.6
Unit
V
V DDQ
V SS
I/O Supply Voltage
Ground
(3)
3.15
0
3.3
0
3.45
0
V
V
Input High Voltage
V IH
(Address, Control
2.0
____
V DDQ + 150mV (2)
V
&Data I/O Inputs) (3)
V IH
Input High Voltage
JTAG
_
1.7
____
V DD + 100mV (2)
V
V IH
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
____
V DD + 100mV (2)
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
V IL
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
-0.3 (1)
____
0.2
V
5687 tbl 06b
NOTES:
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2, or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 3.3V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT pin
for that port must be set to V DD (2.5V), and V DDQX for that port must be supplied as indicated
above.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T633S10BCI | IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA |
| IDT70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP |
| IDT70T653MS12BCI | IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70V05L55G | IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA |
| IDT70V06L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3799MS133BBG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3799MS133BBGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3799MS166BBG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。