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参数资料
| 型号： | IDT70T3719MS166BBG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 22/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（256K x 72） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 324-BGA |
| 供应商设备封装： | 324-PBGA（19x19） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3719MS166BBG |
IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM
Depth and Width Expansion
Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70T3719/99M can also be used in applications requiring
The IDT70T3719/99M features dual chip enables (refer to Truth
Table I) in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no
requirements for external logic. Figure 4 illustrates how to control the
various chip enables in order to expand two devices in depth.
A 18 /A 17(1)
expanded width, as indicated in Figure 4. Through combining the control
signals, the devices can be grouped as necessary to accommodate
applications needing 144-bits.
IDT70T3719/99M
CE 0
IDT70T3719/99M
CE 0
Control Inputs
CE 1
V DD
Control Inputs
CE 1
V DD
IDT70T3719/99M
CE 1
IDT70T3719/99M
CE 1
Control Inputs
CE 0
Control Inputs
CE 0
BE ,
R/ W ,
OE ,
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70T3719/99M
5687 drw 23
NOTE:
1. A 18 is for IDT70T3719, A 17 is for IDT70T3799.
JTAG Functionality and Configuration
CLK,
ADS ,
REPEAT ,
CNTEN
,
The IDT70T3719/99M is composed of two independent memory
arrays, and thus cannot be treated as a single JTAG device in the scan
.
chain. The two arrays (A and B) each have identical characteristics and
commands but must be treated as separate entities in JTAG operations.
Please refer to Figure 5.
JTAG signaling must be provided serially to each array and utilize the
Register Sizes, and System Interface Parameter tables. Specifically,
commands for Array B must precede those for Array A in any JTAG
operations sent to the IDT70T3719/99M. Please reference Application
Note AN-411, "JTAG Testing of Multichip Modules" for specific instruc-
tions on performing JTAG testing on the IDT70T3719/99M. AN-411 is
available at www.idt.com.
information provided in the Identification Register Definitions, Scan
IDT70T3719/99M
TDI
Array A
TDOA
TDIB
Array B
TDO
TCK
TMS
TRST
5687 drw 24
Figure 5. JTAG Configuration for IDT70T3719/99M
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T633S10BCI | IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70T3799MS133BBGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3799MS166BBG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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