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参数资料
| 型号： | IDT70T3719MS166BBG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（256K x 72） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 324-BGA |
| 供应商设备封装： | 324-PBGA（19x19） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3719MS166BBG |
IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM
Description:
Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70T3719/99M is a high-speed 256K/128K x 72 bit synchro-
nous Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells
to allow simultaneous access of any address from both ports. Registers on
control, data, and address inputs provide minimal setup and hold times.
The timing latitude provided by this approach allows systems to be
designed with very short cycle times. With an input data register, the
tional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature,
controlled by CE 0 and CE 1, permits the on-chip circuitry of each port to
enter a very low standby power mode.
The 70T3719/99M can support an operating voltage of either 3.3V
or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power
supply for the core of the device (V DD ) is at 2.5V.
IDT70T3719/99M has been optimized for applications having unidirec-
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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