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参数资料
型号： IDT70T653MS15BC8
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 1/24页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 18MBIT 15NS 256BGA
标准包装： 1,000
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 18M（512K x 36）
速度： 15ns
接口： 并联
电源电压： 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 256-LBGA
供应商设备封装： 256-CABGA（17x17）
包装： 带卷 (TR)
其它名称： 70T653MS15BC8
HIGH-SPEED 2.5V
512K x 36
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70T653M
Features
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70T653M easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Busy Input when cascading more than one
device
Busy input for port contention management
Interrupt Flags
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Sleep Mode Inputs on both ports
Single 2.5V (±100mV) power supply for core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Includes JTAG functionality
Available in a 256-ball Ball Grid Array
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
R/ W L
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
R/ W R
B B
E E
B B
E E
B B B B
E E E E
CE 0L
CE 1L
0 1
L L
2 3
L L
3 2 1 0
R R R R
CE 0R
CE 1R
Dout9-17_R
OE L
Dout0-8_L Dout0-8_R
Dout9-17_L
Dout18-26_L Dout18-26_R
Dout27-35_L Dout27-35_R
512K x 36
MEMORY
ARRAY
OE R
I/O 0L- I/O 35L
Di n_L
Di n_R
I/O 0R - I/O 35R
A 18L
A 0L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A 18R
A 0R
CE 0L
CE 1L
OE L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
OE R
CE 0R
CE 1R
TDI
TD O
JTAG
TC K
TMS
TRST
BUSY L
SEM L
INT L(1)
R/ W L
ZZ L(2)
LOGIC
ZZ
CONTROL
R/ W R
ZZ R(2)
BUSY R
SEM R
INT R(1)
LOGIC
NOTES:
1. INT is non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INT x and the sleep mode
pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
5679 drw 01
JANUARY 2009
DSC-5679/5
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PDF描述
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参数描述
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IDT70T659S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T659S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T659S10BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T659S10BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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